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      三星就披露3nm與2nm工藝進展和路線圖-企業訴訟信息查詢

      2021-10-10 07:11:23 標簽:三星

      在代工市場上,唯一可以和臺積電抗衡的,就是三星了(Intel高調殺入但還需進一步觀察),雙方在先進工藝進展上也是互不相讓,7nm、5nm、3nm、2nm你追我趕。

      日前,在最新舉辦的三星代工論壇2021大會上,三星就披露了最新的工藝進展和路線圖。

      FinFET晶體管結構潛力幾乎已經被挖掘殆盡,三星的下一步是GAA環繞柵極,3nm工藝上分為兩個版本,其中3GAE(低功耗版)將在2022年年初投入量產,3GAP(高性能版)則會在2023年年初批量生產。

      對比5nm,三星新的3nm GAA可以讓面積縮小35%,同功耗下性能提高30%,同性能下功耗降低50%。

      三星就披露3nm與2nm工藝進展和路線圖 

      2nm工藝沒有出現在公開路線圖上,但是三星代工市場策略高級副總裁MoonSoo Kang透露,2GAP工藝會在2025年量產。

      三星就披露3nm與2nm工藝進展和路線圖 

      這是三星第一次透露2nm工藝的規劃,但三星也警告說,新工藝進度還要看客戶的規劃和部署,所以我們推測,2026年可能是見到三星2nm工藝產品上市的更合理時間。

      臺積電方面的2nm工藝有望在2024年量產,領先三星一年左右。

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